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ASML High NA EUV 光刻机

SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机

据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。 SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。综合IT之家已有报道，在几大…
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Y124368月19日

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