据韩媒 ZDNet Korea 报道，SK 海力士 EUV 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示，该企业计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机。
SK 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 High NA EUV 研发团队，正致力于将 High NA EUV 光刻技术应用到最先进 DRAM 内存的生产上。
综合IT之家已有报道，在几大先进逻辑制程与存储半导体企业中，英特尔率先拿下了全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，其第二台 High NA 机台也已在运至俄勒冈州研发晶圆厂的途中。
而台积电和三星电子两家企业用于研发目的的首台 High NA EUV 光刻机也分别有望于 2024 年内、2024 年四季度至 2025 年一季度交付。
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